光刻：今天的功绩,明天的挑战

林景全

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光刻：今天的功绩,明天的挑战

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当前,光刻工业所面临的三个重要挑战为:极限尺寸控制、重影及费用。对于分辨率0.5μm代产品,这些挑战就已存在,当极限尺寸缩小时,挑战也变得更加严峻。挑战之一:极限尺寸当前,服役中的光刻设备的基础部分是分辨能力为0.4～0.5μm的Ⅰ—线步进器。利用焦深超过1μm的光学系统及±15％曝光范围的高性能抗蚀剂,该分辨率是可以达到的。在发展过程中由于采用DUV光刻技术,不需要诸如相移掩模及离轴照明,0.25μm大小线度得到了证实。另外,采用较短波长(193nm)进行曝光,0.12μm分辨率得到了证实。

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来源
《光机电信息》 |1997年第6期|1-3|共3页
作者
林景全;
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作者单位

无;

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原文格式 PDF
正文语种 CHI
中图分类光刻、掩膜;
关键词
半导体器件; 光刻; 掩模; 极限尺寸; 抗蚀剂;

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