美光·英特尔联盟将投产34nm工艺多值NAND型闪存

机译：英特尔和美光展示3D XPoint作为NAND闪存的替代品

机译：英特尔-美光创投将NAND工艺范围推至25 nm

机译：NAND闪存工艺中高性能和嵌入式DRAM技术的NAND闪存技术趋势

机译：172mm〜2 32GB MLC NAND NAND NAND NAND在34nm CMOS中闪存

机译：闪存（NAND）微加工中的浅沟槽隔离工艺。

机译：CMOS兼容的铁电NAND闪存用于高密度低功耗和高速三维内存

机译：sOI上的耗尽增强型体隔离（DEBI）阵列，用于高度可扩展且可靠的NaND闪存

机译：评估3D NaND闪存的辐射敏感性。

机译：多值逻辑电路，多值特定值逻辑电路，多值特定值确定电路，多值特定值电路和电路，与非电路，多值和回路，多值电路和多路电路电路，NOR电路，电路上，NOVER电路和/上电路，NAND /电路上，或/电路，NOR /上电路，电路下，NUNDER电路和//下电路，NAND /下电路或// UND电路，NOR / UNDER电路和AND / NUNDER电路或类似

机译：具有同步锁存功能的多值逻辑装置，多危害消除装置，多层EVEN装置，多层NEVEN装置，多值AND装置，多层NAND装置，多层或装置，多层NOR装置，多层OVER手段，多层NOVER手段，多层AND·OVER手段，多层NAND·OVER手段，多层OR·OVER手段，多层NOR·OVER手段，多层UNDER手段，多层NUNDER手段，多层AND·UNDER手段，多层NAND·UNDER手段，多层OR·UNDER手段，多层NOR·UNDER手段，多层AND·NUNDER手段，多层NAND·NUNDER手段，多层级别OR·NUNDER表示，多级NOR·NUNDER表示，多级AND·NOVER表示，多级NAND·NOVER表示，多级OR·NOVER表示，多级NOR·NOVER表示，多级IN表示，多层NIN表示，多层AND·IN表示，多层NAND·IN表示，多层OR·IN表示，多级

机译：多值NAND闪存