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我国脉冲磁场强度诞生新记录

         

摘要

11月8日凌晨5时28分,华中科技大学国家脉冲强磁场科学中心(筹)取得重要突破。该中心自行研制的国内首个双线圈脉冲磁体成功实现了83T的磁场强度,刷新我国脉冲磁场强度记录,使我国非破坏性磁场强度水平跃居世界第三、亚洲第一。记者在现场看到,由于采用液氮冷却,测试完的圆柱状磁体表层结了厚厚一层冰。

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