具有半绝缘隐埋型异质结构的高速和低驱动电压的InGaAs／InGaAsP MQW电吸收调

机译：高速（10 Gbit / s）和低驱动电压（1 V峰峰值）InGaAs / InGaAsP MQW电吸收调制器集成DFB激光器，具有半绝缘掩埋异质结构

机译：具有1.2V驱动电压的高效InGaAsP / InGaAsP MQW电吸收调制器的工作速率为20 Gbit / s

机译：具有高光功率处理能力的高速InGaAsP / InGaAsP MQW电吸收调制器

机译：低驱动电流高速直接调制高达40 GB / s，使用1.3微米半绝缘埋闭异质结构ALALAS-MQW分布式反射器（DR）激光器

机译：基于N沟道InGaAsP-InP的倒置通道技术器件（ICT）的设计，制造和表征，用于光电集成电路（OEIC）：双异质结光电开关（DOES），异质结场效应晶体管（HFET），双极倒置沟道场-效应晶体管（BICFET）和双极型反向沟道光电晶体管（BICPT）。

机译：具有聚对二甲苯弹簧结构的低驱动电压MEMS数模转换器

机译：倒装芯片安装的25.8-GB / s直接调制InGaASP DFB激光器，Ru掺杂半绝缘埋藏异质结构

机译：埋氧氧化物脊波导Inalas-Inp-InGaasp（λ约1.3微米）量子阱异质结构激光二极管

机译：具有选择氧化型或离子注入型电流限制结构，InGaAsp量子阱以及InGaP或InGaAsp势垒层的表面发射半导体激光元件

机译：通过液相外延制造波长范围为1.2um至1.7um的InGaAsP和InGaAs双异质结构激光器和LED的方法

机译：制备InGaAsP和InGaAs双异质结构激光器和LED的方法