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ITO透明导电膜高速成膜的研究

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摘要

论述了一种采用低能量大束流高密度等离子体作为离子辅助沉积技术，沉积ＩＴＯ薄腊的方法。实验表明离子轰击可以有效地增加薄膜的聚集密度。同时减低薄膜的电阻率。此外，高密度等离子体促进了ＩＴＯ薄膜制备过程的氧化，进而大大提高了ＩＴＯ薄膜的沉积速度。

著录项

来源
《光学仪器》 |1999年第4期|90-98|共9页
作者
孙大雄; 菊池和夫;
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作者单位

新科隆株式会社;

新科隆株式会社;

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原文格式 PDF
正文语种 CHI
中图分类薄膜物理学;
关键词
ITO薄膜; 薄膜; 等离子体源; 沉积技术;

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