用电学参数表征晶体硅太阳电池特性

周春兰; 王文静; 李海玲; 赵雷; 刁宏伟

首页> 中文期刊> 《光学精密工程》 >用电学参数表征晶体硅太阳电池特性

用电学参数表征晶体硅太阳电池特性

开具论文收录证明 >>

期刊封面封底目录下载 >>

文献代查 >>

页面导航

摘要
著录项
相似文献
相关主题

摘要

为了分析3种不同类型的商业太阳电池片,即P型铸造多晶硅太阳电池、定边喂膜生长硅(EFG)太阳电池和单晶硅太阳电池中存在的影响电池效率的可能性缺陷,对太阳电池的电性能参数如光谱响应曲线、短路电流的二维分布、串联电阻、并联电阻、二极管理想因子、反向饱和电流等进行了表征和分析.对比分析了对太阳电池增加偏置白光前后的光谱响应(外量子效率EQE)曲线,然后采用光束诱导电流(LBIC)法和电流-电压(I-V) (暗,光照)法分别测试了太阳电池中形成漏电缺陷的面分布和太阳电池的电性能参数并借助于太阳电池的二极管等效模型拟合了I-V曲线.结合这3种分析测试方法,得出在铸造多晶硅、EGF太阳电池中影响电池参数的主要缺陷是晶界、位错以及材料中的杂质,而影响单晶硅太阳电池的却是存在于体内的金属杂质等.由于原材料中存在不同的少子复合中心,使最终多晶硅,EFG和单晶硅太阳电池的转换效率分别为10.5%,11.7%和15.7%.

著录项

来源
《光学精密工程》 |2008年第7期|1163-1170|共8页
作者
周春兰; 王文静; 李海玲; 赵雷; 刁宏伟;
展开▼
作者单位

中国科学院,电工研究所,北京,100080;

中国科学院,电工研究所,北京,100080;

中国科学院,电工研究所,北京,100080;

中国科学院,电工研究所,北京,100080;

中国科学院,电工研究所,北京,100080;

展开▼
原文格式 PDF
正文语种 chi
中图分类 TM914.41;
关键词
晶体硅; 太阳电池; 转换效率; 电学参数; 晶体缺陷;

相似文献

中文文献
外文文献
专利

1. 晶体硅太阳电池组件封装的电学损失分析 [J] . 帅争峰 ,杨宏 ,雷咸道 . 电源技术 . 2014,第001期
2. 黑磷各向异性拉曼光谱表征及电学特性 [J] . 丁燕 ,钟粤华 ,郭俊青 . 物理学报 . 2021,第003期
3. 长波碲镉汞材料阳极氧化膜/ZnS界面的电学特性参数 [J] . 王妮丽 ,刘诗嘉 ,兰添翼 . 红外与毫米波学报 . 2013,第002期
4. 偏压对HEMT嵌入式微加速度计电学参数的温度特性影响 [J] . 谭振新 ,薛晨阳 ,史伟莉 . 仪表技术与传感器 . 2011,第001期
5. 葡萄冷藏中电学参数与质地特性变化规律 [J] . 刘亚平 ,刘兴华 ,李红波 . 农业工程学报 . 2011,第010期
6. 碲化镉薄膜太阳能电池制备及电学特性参数分析 [C] . 赵守仁 ,黄志鹏 ,孙雷 . 第13届中国光伏大会 . 2013
7. 晶体硅太阳电池中的电学复合行为 [A] . 王朋 . 2011

用电学参数表征晶体硅太阳电池特性

摘要

著录项

相似文献

相关主题

期刊订阅