宽束冷阴极离子源离子能量及能量分布的研究

徐均琪; 弥谦; 杭凌侠; 严一心; 董网妮

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宽束冷阴极离子源离子能量及能量分布的研究

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介绍了一种用于离子束辅助沉积光学薄膜的新型宽束冷阴极离子源,详细叙述了该源的结构和工作过程.采用五栅网离子能量测试装置研究了离子源的离子能量及能量分布.结果表明,探针接收的离子最低能量随着引出电压和真空度的升高而升高.离子能量分布概率密度函数为单峰函数,其峰值位置随着真空度的降低向低能量方向移动,随着引出电压的升高向高能量方向移动.当引出电压为200～1200V时,离子平均能量为600～1600eV,呈线性规律变化.这种离子源的离子平均初始动能约为430～480eV.了解和掌握离子源的这些特性和参数,可以有效的对镀膜过程的微观环境(离子密度、离子能量等)进行控制,促进薄膜制备工艺更好地进行.

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来源
《光电工程》 |2008年第6期|23-27,53|共6页
作者
徐均琪; 弥谦; 杭凌侠; 严一心; 董网妮;
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作者单位

西安工业大学,陕西省薄膜技术与光学检测重点实验室,西安,710032;

西安工业大学,陕西省薄膜技术与光学检测重点实验室,西安,710032;

西安工业大学,陕西省薄膜技术与光学检测重点实验室,西安,710032;

西安工业大学,陕西省薄膜技术与光学检测重点实验室,西安,710032;

西安工业大学,陕西省薄膜技术与光学检测重点实验室,西安,710032;

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原文格式 PDF
正文语种 chi
中图分类薄膜物理学;
关键词
离子能量; 能量分布; 离子源; 离子束辅助沉积(IBAD); 薄膜;

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