注入电流对GaN基LED发光特性的影响

崔德胜; 郭伟玲; 崔碧峰; 闫薇薇; 刘莹

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注入电流对GaN基LED发光特性的影响

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通过调节量子阱中的In组分,制备了GaN基蓝光和绿光发光二极管(LED)。对两种LED进行变电流测试发现,注入电流由3 mA增加到900 mA过程中,波长有蓝移现象,且绿光LED的波长蓝移较明显。这是量子阱限制斯塔克效应(QCSE)造成的。由于绿光LED中In组分含量较大,QCSE较明显。并且发现,光效迅速下降,绿光LED的光效下降幅度更大。这是由于电流不强时局域态中的电子溢出到导带与位错缺陷和空穴发生非辐射复合,电流很大时空穴量子阱中空穴分布不均匀,没有足够的空穴与导带的电子复合,电子溢出有源区形成无效的电流注入,造成光效迅速下降;绿光LED的明显蓝移使视效函数V(λ)值减小,使测量的光效下降幅度更大。

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来源
《光电子．激光》 |2011年第9期|1309-1312|共4页
作者
崔德胜; 郭伟玲; 崔碧峰; 闫薇薇; 刘莹;
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作者单位

北京工业大学光电子技术省部共建教育部重点实验室;

北京100124;

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原文格式 PDF
正文语种 chi
中图分类 TN364.2;
关键词
发光二极管(LED); 氮化镓(GaN); 蓝移; 光效; 量子阱限制斯塔克效应(QCSE); 无效注入;

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