快速热退火对电子束蒸镀的ITO膜光电特性影响

张国伟; 朱彦旭; 李天; 沈光地

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快速热退火对电子束蒸镀的ITO膜光电特性影响

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用真空电子束蒸镀的方法制备半导体发光二极管LED所用的ITO膜,然后在N2气环境中进行快速热退火(RTA)处理,对ITO膜的各项特性进行测试分析。结果表明,ITO的电阻率并不随RTA温度上升单调下降,而是在达到一个峰值后下降,在不超过240s时间内,ITO电阻率随RTA时间的增加而单调降低,霍尔测试结果表明影响电阻率的主要原因是载流子的迁移率。RTA处理对ITO膜的光透过率有一定的改善作用,并且使膜的折射率上升。

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来源
《光电子．激光》 |2009年第3期|346-349|共4页
作者
张国伟; 朱彦旭; 李天; 沈光地;
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作者单位

北京工业大学北京光电子技术实验室;

北京100124;

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正文语种 chi
中图分类 O484.41;
关键词
电子束蒸镀; ITO; 快速热退火(RTA); 电阻率; 折射率;

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