织构CVD金刚石附着膜残余应力分析

李晓伟; 李翠平; 杨保和

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织构CVD金刚石附着膜残余应力分析

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利用微波等离子体化学气相沉积(CVD)方法,在(100)P型Si衬底上沉积得到{110}织构金刚石膜样品,并对其作退火处理。拉曼光谱和高角度X射线衍射(XRD)线型测试结果表明:{110}织构金刚石膜由于晶粒排布的有序程度提高,本征张应力较小,样品内残余应力与其热应力状态一样,均表现为压应力,且随膜的增厚,残余压应力绝对值变大,呈现随厚度的梯度分布;400℃退火3h后,膜内残余应力状态发生改变,说明退火处理可以有效调整膜内残余应力。

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来源
《光电子．激光》 |2009年第7期|901-904|共4页
作者
李晓伟; 李翠平; 杨保和;
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作者单位

天津大学电子信息工程学院;

天津300072;

天津理工大学电信学院;

薄膜电子与通信器件天津市重点实验室;

天津300384;

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原文格式 PDF
正文语种 chi
中图分类薄膜的生长、结构和外延;
关键词
化学气相沉积(CVD)金刚石膜; 残余应力; 织构; 拉曼光谱; X射线; 退火;

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