Nb/Nd共掺Bi_4Ti_3O_(12)对ZnO基薄膜晶体管性能的影响

龚跃球; 刘奕帆; 阳歌; 谢淑红

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Nb/Nd共掺Bi_4Ti_3O_(12)对ZnO基薄膜晶体管性能的影响

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利用化学溶液沉积(CSD)法,在Pt/Ti/SiO2/Si(100)衬底上成功制备以B3.15Nd0.85Ti3-x NbxO12(BNTNx,x=0.01,0.03,0.05,0.07)薄膜作为栅介质层、以ZnO薄膜作为有源层的铁电薄膜晶体管(ZnO/BNTN铁电TFT)。研究了Nb含量对BNTN薄膜微结构、介电和铁电性能的影响。结果表明,BNTN0.03薄膜的剩余极化(2 Pr)最大(71.4μC/cm2),介电常数最大(370)。测得BNTNx薄膜的居里温度约为410℃,介电损耗(tanδ)约为0.02。ZnO/BNTN铁电TFT相比ZnO/SiO2层TFT,有较好的输出特性和转移特性,其阈值电压、沟道迁移率、存储窗口和开关电流比分别达到了2.5V、5.68cm2/Vs、1.5V和1.8×105。

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来源
《光电子．激光》 |2014年第7期|1242-1247|共6页
作者
龚跃球; 刘奕帆; 阳歌; 谢淑红;
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作者单位

湘潭大学材料与光电物理学院;

湖南湘潭411105;

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正文语种 chi
中图分类 O472.4;
关键词
B3; 15Nd0; 85; Ti3-xNbxO12(BNTNx); 铁电薄膜; ZnO薄膜晶体管(TFT);

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