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微片激光器阈值附近的输出光谱特性研究

         

摘要

为了确定激光晶体在不同温度下的自发辐射光谱(荧光谱),实验研究了阈值附近微片激光器的输出光谱特性。当抽运功率略小于阈值时,微片激光器输出经干涉的自发辐射光;当抽运功率大于阈值时,微片激光器输出激光。测量了激光阈值与晶体温控的关系,结果表明激光阈值随晶体温度的升高而增加,其变化率为0.017 W/℃。在不同温控条件下,对阈值以下的自发辐射光谱包络进行了拟合测量,结果表明随着晶体温度的升高自发辐射光谱包络峰值降低,下降率为0.681%/℃;光谱包络中心波长发生红移,漂移率为3.1pm/℃。

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