基于四取代铜酞菁的有机近红外电致磷光器件

范昭奇; 程传辉; 申人升; 李万成; 王瑾; 白青龙; 夏道成; 杜国同

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基于四取代铜酞菁的有机近红外电致磷光器件

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制备了结构为ITO/NPB/TPBI:(4-tert)CuPc/BCP/Alq3/Al的近红外(NIR)有机电致发光器件(OLED),器件在室温下的发射峰位于1110nm附近,来源于(4-tert)CuPc分子的磷光发射,器件的最佳掺杂浓度为14wt%。制备了结构为ITO/NPB/TPBI:(4-tert)CuPc/DCJTB/BCP/Alq3/Al的器件,结果表明,DCJTB层的加入没有改变器件的NIR电致发光(EL)峰位置,而器件的NIR发光强度与没有DCJTB层的器件相比,提高了50%左右,这是由于DCJTB向(4-tert)CuPc进行了有效的能量传输。

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来源
《光电子．激光》 |2010年第4期|524-528|共5页
作者
范昭奇; 程传辉; 申人升; 李万成; 王瑾; 白青龙; 夏道成; 杜国同;
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作者单位

大连理工大学物理与光电工程学院;

辽宁大连116024;

吉林大学电子科学与工程学院;

吉林长春130012;

运城学院化学系;

山西运城044000;

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原文格式 PDF
正文语种 chi
中图分类发光器件;
关键词
酞菁; 有机电致发光器件(OLED); 近红外(NIR);

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