可调谐氮化硅波导微环谐振腔滤波器研究

丁森; 恽斌峰; 徐素红; 胡国华; 崔一平

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可调谐氮化硅波导微环谐振腔滤波器研究

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设计并制备了一种基于热光效应的集成可调谐氮化硅(Si3N4)波导微环谐振腔滤波器,通过采用马赫-曾德干涉仪(MZI)构成的可调谐耦合器控制耦合区耦合比,以实现滤波器消光比的调谐。设计并优化了微环谐振腔的波导截面尺寸、弯曲半径和耦合区波导间隔等参数,并通过光刻、反应离子刻蚀(RIE)等工艺制备了两种不同弯曲半径的Si3N4波导微环谐振腔。实验结果表明,本文器件在波长1 550nm附近处的自由光谱范围(FSR)为68pm,3dB带宽约为16pm,品质因子Q达到了9.68×104,消光比可调范围约为17dB。

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来源
《光电子．激光》 |2015年第8期|1486-1491|共6页
作者
丁森; 恽斌峰; 徐素红; 胡国华; 崔一平;
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作者单位

东南大学先进光子学中心;

江苏南京210096;

河海大学水利水电学院;

江苏南京210098;

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原文格式 PDF
正文语种 chi
中图分类集成光学器件;
关键词
微环谐振腔; 氮化硅(Si3N4); 高品质;

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