沉积温度对HfO_2薄膜应力及光学特性的影响

齐瑞云; 吴福全; 郝殿中; 王庆; 韩培高

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沉积温度对HfO_2薄膜应力及光学特性的影响

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采用电子枪蒸镀法制备了不同沉积温度下的HfO2薄膜样品,利用ZYGO干涉仪、UV3101-PC分光光度计、X射线衍射(XRD)仪和冷场发射扫描电镜(SEM)对样品进行了测试。结果表明,在实验所选择的沉积温度下,制备的薄膜都是非晶态结构;残余应力和本征应力均为张应力,沉积温度低于220℃时热应力对残余应力起主要作用;沉积温度高于220℃时,本征应力对残余应力起主要作用,且沉积温度220℃时残余应力最小;HfO2折射率随沉积温度的升高而增大,不同沉积温度下制备的薄膜折射率都是正常色散;沉积温度220℃下制备的薄膜平整度最好。这些结果可以为镀制高质量HfO2薄膜提供参考。

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来源
《光电子．激光》 |2011年第6期|884-887|共4页
作者
齐瑞云; 吴福全; 郝殿中; 王庆; 韩培高;
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作者单位

曲阜师范大学激光研究所山东省激光偏光与信息技术重点实验室;

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正文语种 chi
中图分类薄膜测量与分析;
关键词
残余应力; 本征应力; HfO2薄膜; 沉积温度; 光学特性; 微结构;

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