基于CdSe/ZnS和Alq_3的白光量子点LED的研究

李晓云; 徐涛; 许文政; 耿宏章; 王炎

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基于CdSe/ZnS和Alq_3的白光量子点LED的研究

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采用CdSe/ZnS红光量子点(QD),利用旋涂和真空蒸镀工艺制备了结构为ITO/TPD+PVK/QDs/Alq3/LiF/Al的量子点发光器件(QD-LED),并对器件的发光性能做了测试。研究了ITO表面处理、TPD空穴传输层和QD发光层的厚度对QD-LED性能的影响,并通过调整QD发光层和Alq3电子传输层的厚度,制备了可用于照明的白光QD-LED。实验结果表明,ITO的表面处理可有效降低器件的开启电压,开启电压从9 V降到7 V左右;TPD空穴传输层和QD发光层的厚度对器件的电流密度和发光亮度有较大的影响,而Alq3电子传输层和QD发光层的合理配比可以混合出较高色温的白光。通过优化器件各参数,当TPD和PVK质量比为5∶1、QD度为1.0mg/ml和Alq3厚为60nm时,制备的器件在15V电压时发光效率达到了1 500cd/m2,色坐标为(0.362 8,0.379 6),显色指数为88.1。

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来源
《光电子．激光》 |2015年第8期|1454-1459|共6页
作者
李晓云; 徐涛; 许文政; 耿宏章; 王炎;
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作者单位

天津工业大学电子与信息工程学院;

天津300387;

天津工业大学材料科学与工程学院;

天津300387;

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原文格式 PDF
正文语种 chi
中图分类 TN383.1;
关键词
量子点(QD); 白光; 量子点发光器件(QD-OLED);

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