适用于FBAR的ZnO薄膜制备及压电特性分析

苏林; 杨保和; 王芳; 李翠萍; 朱宇清

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适用于FBAR的ZnO薄膜制备及压电特性分析

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采用射频磁控溅射法在Al电极层上制备了适用于薄膜体声波谐振器(FBAR)的ZnO薄膜,研究了溅射功率对ZnO薄膜择优取向、压电响应和极化分布的影响。X射线衍射(XRD)测试结果表明,在一定范围内,随着溅射功率的增大,ZnO薄膜的择优取向和结晶质量得到提高;但溅射功率过大,ZnO薄膜的择优取向变差。压电响应力显微镜(PFM)测量表明,溅射功率对薄膜的压电性能和极化取向也有很大影响,在所制备的薄膜中,多数晶粒的自发极化方向均垂直向上,表明所制备ZnO薄膜的表面主要为O截止;压电响应的振幅与薄膜的结晶质量和择优取向相关,在溅射功率为150W条件下制备的ZnO在垂直于表面方向上表现出最大压电响应振幅,同时薄膜极化取向分布的一致性最好。

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来源
《光电子．激光》 |2013年第11期|2150-2155|共6页
作者
苏林; 杨保和; 王芳; 李翠萍; 朱宇清;
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作者单位

天津大学精密仪器与光电子工程学院;

天津300072;

天津理工大学天津市薄膜电子与通信器件重点实验室;

天津300384;

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原文格式 PDF
正文语种 chi
中图分类薄膜物理学;
关键词
薄膜体声波谐振器(FBAR); ZnO薄膜; 溅射功率; 择优取向; 极化分布; 压电响应力显微镜(PF; M);

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