MOCVD生长Al_(0.48)Ga_(0.52)N/Al_(0.54)Ga_(0.36)N多量子阱的结构和光学特性

王保柱; 安胜彪; 文环明; 武瑞红; 王晓君; 王晓亮

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采用金属有机物化学气相淀积(MOCVD)技术,在蓝宝石衬底上生长了Al0.48Ga0.52N/Al0.54Ga0.36N多量子阱(MQWs)结构。通过双晶X射线衍射(DCXRD)、原子力显微镜(AFM)和阴极荧光(CL)等测试技术,分别对样品的结构和光学特性进行了表征。在DCXRD图谱中,可以观察到明显的MQWs衍射卫星峰,通过拟和,MQWs结构中阱和垒的厚度分别为2.1和9.4nm,Al组分分别为0.48和0.54。在AFM表面形貌图上,可以观察到清晰的台阶流,表明MQWs获得了二维生长;与此同时,MQWs结构存在一些裂缝,主要原因为AlGaNMQWs结构和下层GaN层间存在很大的应力。CL测试表明,AlGaNMQWs结构的发光波长为295nm,处于深紫外波段,同时观察到处于蓝光、绿光波段的缺陷发光。

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来源
《光电子．激光》 |2009年第11期|1454-1457|共4页
作者
王保柱; 安胜彪; 文环明; 武瑞红; 王晓君; 王晓亮;
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作者单位

河北科技大学信息科学与技术学院;

河北石家庄050018;

中国科学院半导体研究所;

北京100083;

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原文格式 PDF
正文语种 chi
中图分类半导体量子理论;
关键词
AlGaN; 多量子阱(MQWs); 金属有机物化学气相淀积(MOCVD);

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