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袁晓贤; 苏霜萍; 单新治; 苗玉; 隋国荣;
上海理工大学教育部光学仪器与系统工程研究中心;
上海市现代光学系统重点实验室;
上海200093;
原子沉积法; 水浴法; ZnO—CuO纳米线; 整流特性; 光致发光;
机译:基于CdSe纳米线阵列的光电导器件的金属纳米线透明顶电极的表面形成
机译:基于咔唑和三联苯的新型共聚物(PECz-Ter),用于光电器件。结构属性关联
机译:基于Si量子点/ Si纳米线异质结构的先进的光电器件
机译:(001)硅上基于III氮化物纳米线的近红外光电器件
机译:基于单条半导体纳米线(纳米)的新型光电器件
机译:基于新型半导体结构的光电器件
机译:光电发光器件(即基于氮化镓的LED)具有p掺杂的平面化层,允许径向注入纳米线中的空穴,以及n型硅衬底,允许轴向注入纳米线中的电子
机译:用于中红外光电器件的具有交替盖纳斯/阿里纳斯层的无源波导结构
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