首页> 中文期刊> 《光电子.激光》 >基于ZnO-CuO纳米线结构的新型光电器件

基于ZnO-CuO纳米线结构的新型光电器件

         

摘要

为了获得高效的整流器件和微型短波长的发光器件,采用原子层沉积(ALD)法和水浴法合成了具有ZnO-CuO的结构器件。对制备的样品进行了光学和电学特性的检测,获得了22.79的整流比和17.69的理想因子,且门限电压和整流比等特性随CuO厚度增加而减小。在光致发光(PL)特性上,具有显著的由ZnO带电激发的385nm紫外光波峰,同时伴有由深能级散射激发的572nm的可见光波峰,且随着CuO厚度的增加紫外光波峰减小,可见光峰变大。实验结果表明,本文制备的器件可以应用在纳米型二极管、光电探测器以及微型光源等领域。

著录项

相似文献

  • 中文文献
  • 外文文献
  • 专利
获取原文

客服邮箱:kefu@zhangqiaokeyan.com

京公网安备:11010802029741号 ICP备案号:京ICP备15016152号-6 六维联合信息科技 (北京) 有限公司©版权所有
  • 客服微信

  • 服务号