NZO透明导电薄膜的制备及其性能研究

周爱萍; 刘汉法; 高金霞; 张化福

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NZO透明导电薄膜的制备及其性能研究

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室温下,采用直流磁控溅射法,在玻璃衬底上制备出Nb掺杂ZnO(NZO,ZnO:Nb)透明导电薄膜。研究了靶与衬底之间的距离对NZO薄膜结构、形貌、光学及电学性能的影响。实验结果表明,不同靶基距下制备的NZO薄膜均为c轴择优取向生长,(002)衍射峰的强度随着靶基距的减小而增大。靶基距增大时,薄膜表面逐步趋向平整光滑、均匀致密,薄膜的厚度逐渐减小。在靶基距为60mm时,制备的薄膜厚为355.4nm,电阻率具有最小值(6.04×10-4Ω.cm),在可见光区的平均透过率达到92.5%,其光学带隙为3.39eV。

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来源
《光电子．激光》 |2012年第8期|1525-1528|共4页
作者
周爱萍; 刘汉法; 高金霞; 张化福;
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作者单位

山东理工大学理学院;

山东淄博255049;

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原文格式 PDF
正文语种 chi
中图分类薄膜的性质;
关键词
ZnO:Nb(NZO)薄膜; 靶基距; 透明导电薄膜; 磁控溅射;

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