基于一维光子晶体高阶禁带性质的带阻滤波器研究

陆晓东; 周涛; 伦淑娴; 迟峰

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基于一维光子晶体高阶禁带性质的带阻滤波器研究

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设计了一种基于一维光子晶体(PC,photonic crystal)高阶禁带性质的新型带阻滤波器,其结构形式为Si(空气|Si)5,晶格周期长度为15μm,滤波中心频率位于1.55μm,带宽约为10nm。利用光刻和ICP(inductively coupled plasma)刻蚀技术,将这一滤波器制作在SOI材料上,并对其透射谱特性进行理论计算和实验测量。结果表明,理论计算和实验测量的结果吻合良好,证明了高阶禁带是降低PC加工难度的有效方法。

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来源
《光电子．激光》 |2012年第1期|83-88|共6页
作者
陆晓东; 周涛; 伦淑娴; 迟峰;
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作者单位

渤海大学工学院;

辽宁锦州121000;

中国科学院半导体研究所;

集成光电子学国家重点联合实验室;

北京100083;

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原文格式 PDF
正文语种 chi
中图分类光纤元件;
关键词
光学器件; 光子晶体(PC); 高阶禁带; 透射谱; 滤波器;

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