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曹琛; 张冰; 王俊峰; 吴龙胜;
西安微电子技术研究所;
陕西西安710071;
Pinned型光电二极管(PPD); 量子效率; 工艺条件; 数值模拟;
机译:从第一性原理计算,极化对Mg-Si共掺杂纤锌矿型GaN中p型掺杂效率的影响
机译:p型δ掺杂的Si量子阱中的空穴能级:分离带的影响
机译:基于录制 - 高调制效率耗尽型Si基光调制器,在Si波导上具有原位B掺杂应变SiGe层1.3 UM波长
机译:SOI形成的扭曲型Si双晶中的晶界结构和高电流密度在SOI中激活掺杂剂。
机译:掺杂Si的InGaN底层对不同数量的量子阱的InGaN / GaN量子阱结构的光学性能的影响
机译:延长的辐射寿命对CdSe / CdTe II型胶体量子点基太阳能电池效率的影响
机译:具有高量子效率的W结构II型超晶格长波红外光电二极管;杂志文章
机译:用于图像传感器的收缩型光电二极管,在P型硅基板或盒与P型强掺杂区之间设有N型区,其中P型区由硅制成,而N型区由硅制成。锗
机译:太阳能电池具有太阳能电池层,该太阳能电池层具有交替布置的几个n型掺杂区和p型掺杂区,使得连续的p型掺杂区和n型掺杂区通过本征区彼此隔开并间隔开。
机译:具有P或N型半导体层的Pin结光伏元件,该P或N型半导体层包括含量为1-4原子%的Zn,Se,Te,H的非单晶材料,以及包含非单晶Si的掺杂和I型半导体层(H,F)材料
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