不同转移法对碳纳米管场发射特性的影响

林金阳; 王灵婕; 张永爱; 郭太良

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不同转移法对碳纳米管场发射特性的影响

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通过印刷法、喷涂法和电泳沉积法转移经过处理的碳纳米管(CNT)原料到ITO电极上,高温烧结制备CNT阴极阵列,并对CNT的表面形貌和场发射性能进行测试分析。结果表明,不同转移方法对CNT阴极场发射性能的影响不同,印刷法、喷涂法及电泳沉积法3种方法制备CNT阴极场发射的开启电场分别为2.21、1.62和1.85 V/μm;当电场为2.3 V/μm时,喷涂法制备的CNT阴极场发射性能最佳,电泳沉积法制备CNT阴极次之,印刷法制备的CNT阴极最差,并根据金属半导体理论分析其原因。

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来源
《光电子．激光》 |2012年第2期|244-247|共4页
作者
林金阳; 王灵婕; 张永爱; 郭太良;
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作者单位

福州大学光电显示技术研究所;

福建福州350002;

福建工程学院电子电气系;

福建福州350108;

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原文格式 PDF
正文语种 chi
中图分类薄膜物理学;
关键词
喷涂法; 印刷法; 场发射; 碳纳米管(CNT);

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