Si基光子器件的p-i-n电学结构模型及分析

著录项

• 来源
  《光电子．激光》 |2014年第1期|8-12|共5页
• 作者

  陈伟伟; 赵勇; 杨承霖; 钱伟; 杨铁权; 杨建义;

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• 作者单位

  宁波大学信息科学与工程学院;

  浙江宁波315211;

  浙江大学信息与电子工程学系;

  唐仲英传感材料与应用研究中心;

  浙江杭州310027;

  浙江南方通信集团股份有限公司;

  浙江湖州313009;

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• 原文格式 PDF
• 正文语种 chi
• 中图分类 集成光学器件;
• 关键词

  Si基光子学; 马赫-曾德尔调制器(MZM); 载流子色散; p-i-n结; 有限差分(FD)法;