基于CMOS工艺的双层非制冷热敏电阻型红外探测器

申宁; 余隽; 黄正兴; 唐祯安

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基于CMOS工艺的双层非制冷热敏电阻型红外探测器

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采用0.5μm标准CMOS工艺和微机械加工工艺,设计并制作了低成本双层非制冷热敏电阻型红外探测器。探测器采用隐藏桥腿式微桥结构,使用表面牺牲层技术实现,其中包括Al、W和Si3种牺牲层材料。CMOS工艺加工完成后,双层微桥结构的微机械加工过程只需进行湿法腐蚀即可,成本较低。对双层红外探测器的热性能和光电特性进行测试,其热导为1.96×10-5 W/K,热容为2.23×10-8 J/K,热时间常数为1.14ms。当红外辐射调制频率为10Hz时,双层红外探测器的电压响应率为2.54×104 V/W,探测率为1.6×108 cm·Hz1/2/W。

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来源
《光电子．激光》 |2014年第5期|845-850|共6页
作者
申宁; 余隽; 黄正兴; 唐祯安;
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作者单位

大连理工大学电子科学与技术学院;

辽宁大连116023;

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原文格式 PDF
正文语种 chi
中图分类红外探测、红外探测器;
关键词
CMOS红外探测器; 非制冷红外探测器; 低成本红外探测器; 多牺牲层; 双层红外探测器;

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