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无定型SiO_2对纳米ZnO缺陷发光的辅助增强效应研究

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摘要

利用正硅酸乙酯水解后的无定型SiO2网络结构,合成了不同尺度的纳米ZnO。X射线衍射(XRD)谱显示,当正硅酸乙酯的量从0ml增加到5ml,ZnO的粒径从14.6nm减小到1.9nm;光致发光(PL)光谱显示,发射峰位从560nm蓝移到510nm,发射强度明显增强。利用紫外-可见(UV-VIS)吸收光谱、PL光谱以及能级结构分析,我们认为,纳米ZnO随尺度下降所产生的发光增强来源于无定形SiO2所抑制的ZnO表面非辐射跃迁过程以及二者之间的再吸收过程;此外,纳米ZnO尺度的下降,使得其表面的光生电子和晶格内部的O空位(Vo)之间的距离减小,提高了辐射跃迁的几率也是获得高荧光效率的可能原因。

著录项

来源
《光电子．激光》 |2012年第8期|1509-1512|共4页
作者
牛喜平; 徐建萍; 张晓松; 程晓曼; 罗程远; 李开祥; 李岚;
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作者单位

天津理工大学材料物理研究所;

天津300384;

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正文语种 chi
中图分类光纤元件;
关键词
纳米ZnO; 无定型SiO2; 发光增强;

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