基于标准CMOS工艺的串联高压太阳能电池研究

谢生; 侯贺刚; 毛陆虹; 张世林; 郭维廉

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基于标准CMOS工艺的串联高压太阳能电池研究

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基于标准互补金属氧化物半导体(CMOS)工艺流程,设计了p+/N-well和n+/p-sub两类结构的太阳能电池单元,通过分析影响电池性能参数的主要因素,设计、制备出4种不同单元尺寸的电池结构。测试结果表明,在标准测试条件下,面积50μm×50μm的单元结构具有最优的性能参数,其开路电压和短路电流分别为0.49V和76.61μA/mm2,最大输出功率达29.44μW/mm2,光电转换效率为2.94%。基于优化的器件结构,将两类不同结构的电池单元串联实现了高压输出的太阳能电池,电池的输出电压为0.95V,短路电流和最大输出功率分别为13μA/mm2和10.5μW/mm2。

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来源
《光电子．激光》 |2014年第2期|213-216|共4页
作者
谢生; 侯贺刚; 毛陆虹; 张世林; 郭维廉;
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作者单位

天津大学电子信息工程学院;

天津300072;

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原文格式 PDF
正文语种 chi
中图分类半导体光电管;
关键词
能量采集; 太阳能电池; 高压输出; 单片集成; 互补金属氧化物半导体(CMOS);

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