白光LED用Ba_(0.955)Al_2Si_(2-x)Ge_xO_8∶Eu^(2+)荧光粉的晶体结构和光谱特性研究

王飞; 田一光; 张乔

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采用高温固相法在弱还原气氛下制备了Ba0.955Al2Si2-x Gex O8∶Eu2+(x=0.0~1.0)系列荧光粉,研究了Ge4+置换Si 4+对其晶体结构和光谱特性的影响。Ge4+以类质同相替代Ba长石(BaAl2Si2O8)晶格中的Si 4+形成连续固溶体,晶胞参数a、b、c、β和晶胞体积V随Ge4+置换量呈线性递增。荧光激发谱为宽带,位于230~400nm处,可拟合成4个峰,最大峰值位于332nm;随着Ge4+置换量的增加,半高宽(FWHM)从93nm减小到80nm。发射光谱位于375~600nm,可由422nm和456nm两峰拟合而成,最大峰值位于434nm;随着Ge4+置换量Si 4+进入基质晶格,造成Eu-O距离变小,发光中心Eu2+所处晶体场增强,5d轨道能级分裂变大,最低发射能级下移,两拟合峰均线性红移。

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来源
《光电子．激光》 |2013年第12期|2349-2354|共6页
作者
王飞; 田一光; 张乔;
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作者单位

安徽三联学院实验中心;

安徽合肥230601;

温州大学化学与材料工程学院;

浙江温州325035;

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原文格式 PDF
正文语种 chi
中图分类 O614.371;
关键词
硅酸盐; Ba长石(BaAl2Si2O8); Ge置换; Eu^2+;

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