隔热结构中非晶硅的释H_2机理与工艺研究

马铁英; 李铁; 李劲松

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隔热结构中非晶硅的释H_2机理与工艺研究

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对采用等离子增强化学气相淀积法(PECVD)制备的氢化非晶硅(a-Si:H)薄膜进行了退火释H2实验,并对三文治结构膜层生长工艺作了改进。红外透射光谱表明:提高退火温度及增加退火时间会造成Si-H键断裂释放H2影响器件结构完整;不断改进设计,最终采用精简有效热敏面积及将退火工艺提前以扩张释H2渠道的方案,获得600℃退火后仍保持完整三文治结构的优化设计流程。

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来源
《光电子．激光》 |2010年第2期|227-230|共4页
作者
马铁英; 李铁; 李劲松;
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作者单位

中国计量学院光学与电子科技分院;

浙江杭州310018;

中国科学院微系统与信息技术研究所传感技术国家重点实验室;

上海200050;

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正文语种 chi
中图分类薄膜物理学;
关键词
非晶硅(a-Si); 退火; 红外透射; 释H2;

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