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Co掺杂SiC稀磁半导体薄膜的磁与电阻率特性

         

摘要

采用射频磁控溅射法制备了不同Co掺杂浓度的SiC薄膜。X射线衍射(XRD)、X射线光电子能谱(XPS)、Hall以及电阻率-温度(-ρT)曲线测试结果表明,Co掺杂SiC薄膜具有4H-SiC(100)晶体结构和典型的半导体导电特征,未发现Co金属团簇以及其它CoSi第二相化合物生成,显示了Co原子以替位掺杂的形式进入了SiC晶格;电流-电压(I-V)特性测试发现,Co掺杂SiC薄膜是一种非均匀掺杂;PPMS磁性测量表明,Co掺杂SiC薄膜具有明显的室温铁磁性,饱和磁化强度随着Co掺杂浓度的增加而增加,其铁磁性的来源符合缺陷机制的束缚磁极子(BMP)机制。

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