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祁昌亚; 胡正飞; 张燕; 李向阳;
同济大学材料科学与工程学院;
上海201804;
中国科学院上海技术物理研究所;
红外成像材料与器件重点实验室;
上海200083;
p-AlGaN; 一次退火; 二次退火; 扩散; 组织结构;
机译:退火温度对未掺杂AlN薄膜Ti / Al / Ni / Au欧姆接触的影响
机译:表面处理和退火温度对p -GaN低电阻Au / Ni欧姆接触形成的影响
机译:快速热退火对Ti / Al / Ni / Au欧姆接触n-Al0.45Ga0.55N的影响
机译:Ti-Ni-Au形状记忆合金的结构与性能
机译:Au和Au / Ni / Au多层纳米线上标记DNA的生物分子的光电化学研究
机译:热退火对PDAL / AU金属堆欧姆接触的影响P-Algan
机译:砷化镓上的au-Ge-Ni-Ti欧姆接触。
机译:用于GaAs和GaAlAs的Ni-Ge-Au欧姆接触
机译:Ga-Al-As化合物半导体的Au-Ge-Ni欧姆接触
机译:与n-GaAs的Si / Au / Ni合金欧姆接触及其制造工艺
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