PTPD/Alq_3器件ETL厚度对发光和复合的影响

聂海; 陈祝; 吴丽娟

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PTPD/Alq_3器件ETL厚度对发光和复合的影响

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以新型的空穴传输材料三苯基二胺衍生物聚合(PTPD)制成了氧化铟锡(ITO)/PTPD/(Alq3)(8-羟基喹啉铝)/Mg:Ag异质结发光器件,考察了器件发光性能随Alq3电子传输层(ETL)厚度变化的规律,研究了聚合物/小分子异质结发光器件的电场对载流子复合区域的影响。基于能带理论和隧穿理论认为,这是由于器件上电场的重新分布和电场作用下载流子输运及隧穿势垒作用的综合结果。

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来源
《光电子．激光》 |2009年第9期|1154-1157|共4页
作者
聂海; 陈祝; 吴丽娟;
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作者单位

成都信息工程学院通信工程系;

四川成都610225;

电子科技大学电子薄膜与集成器件国家重点实验室;

四川成都610054;

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原文格式 PDF
正文语种 chi
中图分类 TN383.1;
关键词
PTPD; 异质结器件; 载流子输运; 复合区域;

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