柔性衬底硅基太阳电池ZAO透明导电膜的研究

王雅欣; 裴志军; 王爽; 李彤; 张军; 徐建萍; 蔡宏琨; 张德贤

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柔性衬底硅基太阳电池ZAO透明导电膜的研究

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采用孪生对靶直流磁控溅射的方法,在室温下制备了ZnO:Al(ZAO)薄膜材料,将其应用于柔性衬底非晶硅薄膜太阳电池的窗口电极。通过调整Ar气流量(1.67×10-7 m3/s～8.33×10-7 m3/s),优化了ZAO薄膜的结构、成份及光电性能。得到如下结论:理想的Ar气流量为3.33×10-7 m3/s,此时ZAO薄膜具有较高的晶化率和C轴择优取向,薄膜的霍尔电阻率达为4.26×10-4Ω.cm,载流子浓度达到1.8×1021cm-3,可见光波长范围内的光学透过率达到85%以上。将优化后的ZAO薄膜用于柔性衬底非晶硅薄膜太阳电池的窗口电极,转化效率达到了4.26%。

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来源
《光电子．激光》 |2012年第5期|928-932|共5页
作者
王雅欣; 裴志军; 王爽; 李彤; 张军; 徐建萍; 蔡宏琨; 张德贤;
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作者单位

天津职业技术师范大学电子工程学院;

天津300222;

天津理工大学材料物理所;

天津300384;

南开大学信息学院;

天津300071;

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原文格式 PDF
正文语种 chi
中图分类半导体性质;
关键词
柔性衬底; 氢化非晶硅太阳电池; 磁控溅射; ZAO薄膜; Ar气流量;

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