直流磁控溅射工艺参数对β-FeSi_2薄膜性能的影响

刘芳; 侯国付; 郁操; 孙建; 杨瑞霞; 赵颖

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直流磁控溅射工艺参数对β-FeSi_2薄膜性能的影响

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采用室温直流磁控溅射Fe-Si组合靶的方法,经过后续Ar气氛围退火,在单晶Si(111)衬底上生长β-FeSi2薄膜。研究了溅射功率、工作气压、Ar气流量、沉积时间等工艺参数对β-FeSi2薄膜结构特性及电学特性的影响,通过Raman、Hall、X射线衍射(XRD)等测试对其性能进行表征,对工艺参数进行了优化,在溅射功率为80W、工作气压为1.3Pa和Ar气流量为35SCCM时溅射沉积Fe-Si薄膜,不仅可以得到单一相的β-FeSi2,而且薄膜结晶质量较好。最终,在上述实验条件下制备得到的未掺杂的β-FeSi2薄膜是n型导电的,β-FeSi2薄膜中载流子浓度约为3.3×1016cm-3,迁移率为381cm2/Vs。

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来源
《光电子．激光》 |2010年第5期|699-705|共7页
作者
刘芳; 侯国付; 郁操; 孙建; 杨瑞霞; 赵颖;
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作者单位

河北工业大学信息工程学院;

天津300401;

南开大学光电子薄膜器件与技术研究所;

天津300071;

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原文格式 PDF
正文语种 chi
中图分类 TN304.055;
关键词
β-FeSi2薄膜; 直流磁控溅射; 工艺参数;

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