适用于光集成的面发射半导体激光器

陈娓兮

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＜正＞ 1.概述进行了外延片材料质量、A1GaAs—GaAs DBR的制作和特性、InGaAs/GaAs量子阱和InP的亚皮秒快速现象以及垂直腔面发射光导体激光器（VCSELs）及其特性的研究。在国内首批实现VCSELs脉冲激射。本文将简要地介绍激光器和有关特性以及InGaAs/GaAs量子阱和InP中的亚皮秒快速现象研究情况。 2.研究方法和结果 VCSELs具有园形光斑、光束发散小、单纵模工作、动态特性好和容易二维集成等优点,因而在光计算机、光互连和光信息处理等领域有着广泛的应用前景,引起了人们的极大兴趣。 VCSELs与普通边发射半导体激光器在结构上的差别是:VCSELs的出光方向与外延

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来源
《光电子．激光》 |1997年第s1期|74-75|共2页
作者
陈娓兮;
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作者单位

北京大学物理系北京 100871;

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正文语种 chi
中图分类激光器;
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