化合物半导体的固态杂质源激光诱导扩散的研究

叶玉堂

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化合物半导体的固态杂质源激光诱导扩散的研究

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＜正＞ 1.研究内容本项目研究了以GaAs为衬底的固态杂质源激光诱导扩散。①半导体基片上微小高温区（即激光诱导扩散中的曝光区,直径10μm量级）温度的不接触实时测量。②激光诱导扩散装置的研制及扩散工艺的研究。扩散用的材料是进口含Zn的SiO2乳胶液。扩散前先用它在N型GaAs衬底的表面制成胶膜。在激光诱导扩散中,此胶膜起双重作用:一是为高蒸气压的As原子提供一层密封膜,以阻止GaAs衬底的分解;二是作为掺入GaAs的Zn原子的源（所谓"固态杂质源"）。用光功率密度合适的激光束照射制备好含Zn的SiO2胶膜的样品,在激光辐照区就会产生Zn向GaAs衬底的扩散。用激光曝光后的样品

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来源
《光电子．激光》 |1997年第s1期|48+51-48+51|共1页
作者
叶玉堂;
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作者单位

电子科技大学光电子技术系成都;

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正文语种 chi
中图分类半导体性质;
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