实现单片光子集成的新手段—量子阱部分无序技术研究

李德杰

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实现单片光子集成的新手段—量子阱部分无序技术研究

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＜正＞ 1.项目简介量子阱材料在一定的覆盖层下经快速热退火,量子阱区的阱和垒之间的组分将发生相互扩散,从而造成势阱形状改变,导致吸收边蓝移,但量子限制Stark效应仍然保持。本课题的研究目标是找到适合的成膜工艺和退火条件,使GaAS/AlGaAs量子阱材料基片的不同部位上产生制作各种器件所要求的吸收边不同蓝移量,并开展单片集成的初步尝试。 2.研究内容、方法和结果（1）GaAs/AlGaAs多量子阱（MQW）材料实现量子阱部分无序的实验条件及部分无序化后材料特性研究。

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来源
《光电子．激光》 |1997年第s1期|39-40|共2页
作者
李德杰;
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作者单位

清华大学北京 100084;

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正文语种 chi
中图分类波导光学与集成光学;
关键词

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