SiH4激光等离子体内H谱线的线型研究

王金国; 李晓苇

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本文利用OMA-Ⅲ系统测量了脉冲TEA CO_2激光诱发的SiH_4等离子体发光谱内H巴耳末系的H_α、H_β和H_γ线的线型及线宽。通过理论及实验分析,认为这些谱线的主要加宽机制为Stark加宽。由实验线型和理论线型的拟合得到等离子体的电子温度T≈40000K和电子密度N≈10^(17)cm^(-3)。

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来源
《光电子．激光》 |1991年第3期|150-151|共2页
作者
王金国; 李晓苇;
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作者单位

不详;

不详;

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原文格式 PDF
正文语种 CHI
中图分类 O433.54;
关键词
SiH4; 等离子体; 发光光谱; 激光;

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