两种不同方法制备的硅纳米颗粒的特性研究

赵美红; 方炎

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两种不同方法制备的硅纳米颗粒的特性研究

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采用激光烧蚀法和电化学腐蚀法制备硅纳米颗粒,两种方法制备的硅纳米颗粒粒径与形貌都不同,而且紫外-可见吸收谱也有很大差别。分析紫外-可见吸收谱发现,硅纳米颗粒与单晶硅相比发生了能带展宽、吸收边蓝移现象,并且有直接能隙的特点;两种方法制备的硅纳米颗粒的光致发光都与硅颗粒的粒径分布和表面层成分密切相关,并且光致发光谱还随激发波长的变化而规律地改变。用量子限制和表面层成分结合模型分析解释了这些现象。

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来源
《光电子．激光》 |2008年第4期|486-489|共4页
作者
赵美红; 方炎;
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作者单位

首都师范大学物理系北京市纳米光电子学重点实验室;

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正文语种 chi
中图分类半导体性质;
关键词
硅纳米颗粒; 激光烧蚀; 电化学腐蚀; 光致发光;

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