Tb(p-MBA)3phen与PVK混合体系发光性质研究

徐颖; 邓振波; 徐登辉; 肖静; 王瑞芬

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Tb(p-MBA)3phen与PVK混合体系发光性质研究

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研究了铽配合物Tb(p MBA)3phen与聚乙烯咔唑 PVK共掺杂体系的电致发光(EL)和光致发光(PL)特性。结果发现,在EL中,PVK的发光完全被抑制,只能看到明显的Tb3+绿光发射;而在 PL中,除了Tb3+发光外,还可以看到明显的PVK发光。这是由于两种发光机理不同造成的。通过测量材料的发射光谱和激发光谱,初步探讨了器件的发光机理,认为 Tb3+ 的发光可能来源于 2 个方面:1) PVK到稀土配合物的F¨orester能量传递;2) PVK作为一种空穴传输材料,而稀土配合物作为电子陷阱,受激的空穴和电子直接被稀土配合物俘获,在稀土配合物上形成激子复合发光。所制作的单层器件的最大亮度达24.8 cd/m2。

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来源
《光电子．激光》 |2005年第3期|319-322|共4页
作者
徐颖; 邓振波; 徐登辉; 肖静; 王瑞芬;
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作者单位

北京交通大学光电子技术研究所信息存储;

显示与材料开放实验室;

河北师范大学化学系;

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原文格式 PDF
正文语种 chi
中图分类络合物化学（配位化学）;发光学;
关键词
电致发光; 能量传递; 电子陷阱; 激子; PVK混合体系; 发光性质; 铽配合物;

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