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808nm无铝材料激光器可靠性筛选的实验探讨

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摘要

对８０８ｎｍ无铝ＩｎＧａＡｓＰ／ＧａＡｓ半导体激光器进行可靠性筛选实验，给出了器件老化前后的工作特性及其变化情况；讨论器件工作特性变化甚至失效的可能原因，并给出在进行器件筛选实验时的初步判据。用工作电流的变化率来对器件的可靠性做初步的判定，认为工作电流的变化率小于１％

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来源
《光电子．激光》 |1999年第6期|580-581|共2页
作者
高欣; 曲轶; 薄报学; 王晓华; 张兴德;
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作者单位

长春光学精密机械学院高功率半导体激光国家重点实验室;

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原文格式 PDF
正文语种 chi
中图分类半导体激光器;
关键词
半导体激光器; 可靠性; 筛选; 激光器;

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