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氢化纳米硅薄膜的激子光学非线性

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用泵浦 -探测技术研究了氢化纳米硅薄膜 (nc- Si:H)的非线性光学性质 ,观察到纳米 Si中激子的光吸收饱和现象 ,测得实验用样品在波长 5 5 4nm处有最大的折射率改变量Δn=- 6 .1× 10 - 5 ,并对该材料的光学非线性机理作了探讨。

著录项

来源
《光电子．激光》 |2001年第3期|219-221|共3页
作者
郭震宁; 郭亨群; 王加贤; 张文珍; 李世忱;
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作者单位

华侨大学应用物理系;

天津大学精密仪器与光电子工程学院;

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原文格式 PDF
正文语种 chi
中图分类 O484.41;
关键词
薄膜; 激子光学非线性; 氢化钠米硅;

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