热氧化法制备ZnO薄膜及其紫外探测特性研究

郑学刚

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热氧化法制备ZnO薄膜及其紫外探测特性研究

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采用电子束蒸发方法在玻璃衬底上沉积了Zn薄膜，然后在空气中进行了400℃至550℃加热退火处理，并基于金属-半导体-金属（MSM）平面式结构，制备了ZnO光电导型紫外探测器。实验发现：退火后的薄膜样品表面出现了ZnO纳米线，纵横比在300-1000间；探测器的响应峰值波长约为360nm，紫外区光响应度是可见区的5倍以上；360nm紫外光照射的瞬态响应符合e指数变化规律，e指数曲线拟合所得到的驰豫时间常数反映了这个过程中的时间积累。

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来源
《光电子．激光》 |2007年第10期|1219-1223|共5页
作者
郑学刚;
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作者单位

临沂师范学院物理系;

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正文语种 chi
中图分类薄膜物理学;
关键词
ZnO; 热氧化; 纳米线; 光响应;

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