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蔡志猛; 周志文; 李成; 赖虹凯; 陈松岩;
厦门大学物理系半导体光子学研究中心;
Ge; 弛豫缓冲层; MSM光电探测器;
机译:互补金属氧化物半导体(CMOS)兼容砷化镓金属 - 半导体 - 金属光电探测器(GaAs MSMPDS)在硅上使用超薄锗缓冲层进行可见光应用
机译:具有非晶Ge肖特基势垒增强层的硅外延Ge上的金属锗金属光电探测器
机译:与硅波导对接的自对准微键合锗金属-半导体-金属光电探测器
机译:多孔硅基金属-半导体-金属(MSM)光电探测器结构上经过热处理的触点的特性
机译:硅金属半导体金属光电探测器:离子注入高速近红外光电二极管和位置敏感型光电探测器。
机译:使用半导体量子点增强硅金属-半导体-金属光电探测器中的光响应
机译:使用半导体量子点促进硅金属半导体 - 金属光电探测器的光响应
机译:msm-金属半导体金属光电探测器使用黑硅锗(siGe)进行扩展波长近红外探测。
机译:集成双极互补金属氧化物半导体电路制造包括形成外延层,该外延层包括具有比上硅锗子层高的锗浓度的下硅锗子层
机译:金属锗金属光电探测器中的肖特基势垒金属锗接触
机译:集成电路的互补金属氧化物半导体晶体管的制造方法,包括对硅锗层进行外延工艺形成硅层,并利用氧化工艺氧化硅层
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