MOCVD生长双有源区AlGaInP发光二极管

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• 来源
  《光电子．激光》 |2008年第5期|591-594|共4页
• 作者

  韩军; 邢艳辉; 李建军; 邓军; 于晓东; 林委之; 刘莹; 沈光地;

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• 作者单位

  北京工业大学电子信息与控制工程学院;

  北京市光电子技术实验室;

  北京100022;

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• 原文格式 PDF
• 正文语种 chi
• 中图分类 TN312.8;
• 关键词

  红光发光二极管; 隧道结; 金属有机物化学气相沉积;