降低VCSELs激射阈值途径的理论研究

张晓霞; 潘炜; 刘永智; 陈建国

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降低VCSELs激射阈值途径的理论研究

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针对量子阱有源层的结构特点 ,考虑增益和载流子浓度呈对数关系 ,建立量子阱垂直腔面发射半导体激光器 (VCSEL )的速率方程 ,导出了阈值电流密度的解析表达式。运用 MATL AB软件中 Simulink可视化仿真系统对理论计算进行模拟仿真 ,研究了降低 VCSEL 激射阈值的 3个基本途径 :有源层选用量子阱实现微腔结构 ;腔面采取多层介质反射膜提高光腔反射率 R;改进外延生长技术以降低各种损耗。

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来源
《光电子．激光》 |2002年第12期|1211-1214|共4页
作者
张晓霞; 潘炜; 刘永智; 陈建国;
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作者单位

电子科技大学光电信息学院;

西南交通大学计算机与通信工程学院;

四川大学电子信息学院;

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原文格式 PDF
正文语种 chi
中图分类半导体激光器;
关键词
VCSELs; 阈值电流密度; 垂直腔面发射半导体激光器; 有源区厚度; 腔长; 端面反射率; 量子阱;

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