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聚酰亚胺为栅绝缘层的并五苯场效应晶体管

摘要

以真空蒸发的有机半导体材料并五苯为有源层,以旋涂的聚酰亚胺作为栅绝缘层,以真空蒸发的Al为栅、源和漏电极,成功制作了顶接触式并五苯有机场效应晶体管(OFET)。测试表明,在源漏电压为70V时,器件的载流子迁移率μ为0.079cm2/V.s,器件的开关电流比为1.7×104.

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