适用SAW器件的高C轴取向ZnO薄膜制备及性能分析

王芳; 杨保和

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适用SAW器件的高C轴取向ZnO薄膜制备及性能分析

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探讨了高性能ZnO薄膜的制备工艺,利用X射线衍射(XRD)、原子力显微镜(AFM)和高阻仪对各种条件下制备的薄膜进行了表征分析。研究表明:在一定温度范围内随退火温度上升薄膜C轴取向性更优;同时O空位的填充、自由Zn原子的氧化使得薄膜电阻率提高至107Ω·cm数量级;600℃为最佳退火处理温度,600℃退火处理的ZnO薄膜粗糙度小(RMS为2.486nm),且晶粒均匀致密,表面平整,是适于制备声表面波(SAW)器件的高C轴取向、高电阻率及较平坦的ZnO薄膜。

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来源
《光电子．激光》 |2005年第1期|28-31|共4页
作者
王芳; 杨保和;
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作者单位

天津理工大学光电信息系;

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原文格式 PDF
正文语种 chi
中图分类材料;声光器件;
关键词
ZnO薄膜; SAW器件; C轴取向; 薄膜电阻; 声表面波(SAW); 性能分析; 原子力显微镜(AFM); 平坦; 上升; 空位;

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