O_3有效钝化多孔硅的研究

黄燕华; 陈松岩; 江炳熙

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O_3有效钝化多孔硅的研究

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开发了用O3氧化钝化多孔Si(PS)的实用工艺方法。O3的基本作用是对Si-Hx和Si悬挂键(DB)的充分氧化,经过随后158 d贮存的老化实验,得到了表面Si-Hx键完全被Si-Ox膜和Si-烷基膜所替代并覆盖的PS,其光致发光(PL)强度达到稳定的增强,这归因于PS纳米晶粒的表面势垒高度的提高以及量子效率的提高。

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来源
《光电子．激光》 |2006年第4期|450-454|共5页
作者
黄燕华; 陈松岩; 江炳熙;
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作者单位

厦门大学物理系;

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原文格式 PDF
正文语种 chi
中图分类表面处理;
关键词
多孔Si(PS); 光致发光(PL); 臭氧处理(OT); 傅立叶变换红外吸收谱(FTIR);

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