1.78μm应变InGaAs-InGaAsP-InP分布反馈量子阱激光器(英文)

王书荣; 王辉; 王宝军; 朱洪亮; 张靖; 丁颖; 赵玲娟; 周帆; 王鲁峰; 王圩

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采用低金属有机汽相外延(LP MOVPE)生长大应变InGaAs/InGaAsP做有源区,研制了激射波长为1.78μm的脊波导分布反馈(DFB)激光器,对于解理腔长为900μm的激光器,室温时其激射的阈值电流为33mA,最大单面光输出功率/和单面外微分量子效率分别为8mW和7%;此外,激射光谱边模抑制比(SMSR)为27.5dB。

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来源
《光电子．激光》 |2004年第8期|906-909|共4页
作者
王书荣; 王辉; 王宝军; 朱洪亮; 张靖; 丁颖; 赵玲娟; 周帆; 王鲁峰; 王圩;
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作者单位

中国科学院半导体研究所光电子研发中心;

香港中文大学电子工程系;

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原文格式 PDF
正文语种 chi
中图分类激光器;材料;
关键词
分布反馈; 量子阱激光器; DFB; 边模抑制比; 脊波导; 汽相外延; 腔长; 外微分; 分量; 光谱;

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